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MBRF1090CT, MBRF10100CT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 16-Aug-13
3
Document Number: 89126
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Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 6 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 7 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
?
?
01 562
34
4.0
3.5
3.0
2.5
1.0
0.5
0
2.0
1.5
Average Forward Current (A)
Average Power Loss (W)
D = tp/T tp
T
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.8
D = 0.5
D = 1.0
0 0.2 1.60.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
100
10
0.1
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous Forward Current (A)
TA
= 25 °C
TA
= 100 °C
TA
= 125 °C
TA
= 150 °C
0.01
0.001
0.1
1
10
100
0.0001
10 10020 30
40 50 70 9060 80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous Reverse Current (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
1 10010
100
1000
10 000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
Junction Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1 MHz
Vsig
= 50 mVp-p
0.01
10 100
1
10
1
0.1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/W)
Junction to Case
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